东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求

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本站原创 2023/2/3 文传商讯

日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款产品具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今天开始出货。

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近年来，随着车辆向电动汽车过渡，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装，支持大电流，具备低导通电阻和高散热性能。产品未采用内部接线柱^[1]结构，通过引入一个铜夹片将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构，与现有的TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约30%，从而将XPQR3004PB的漏极额定电流(DC)提高到400A，是当前产品的1.6倍^[2]。厚铜框的应用使XPQR3004PB内的沟道到外壳热阻降低到当前产品的50%^[2]。这些特性有利于支持更大的电流，并降低车载设备的损耗。

凭借新型封装技术，新产品可简化散热设计，减少半导体继电器和一体化起动发电机的变频器等需要大电流的应用所需的MOSFET数量，进而有助于缩小设备尺寸。当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新品分组出货^[3]，即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计方案采用同一组别的产品，从而减少特性偏差。

因为车载设备可能工作在各种温度环境下，所以表面贴装的焊点可靠性是一个需要考虑的关键因素。新品采用鸥翼式引脚来降低贴装应力，提高了焊点可靠性。

注：
[1] 锡焊连接
[2] 当前产品：采用TO-220SM(W) 封装的“TKR74F04PB”
[3] 东芝提供分组出货，每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。

应用

车载设备：变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等。

特性

新封装L-TOGL^TM
高额定漏极电流：
XPQR3004PB：I_D=400A
XPQ1R004PB：I_D=200A
AEC-Q101认证
低导通电阻：
XPQR3004PB：R_DS(ON)=0.23m（典型值）@V_GS=10V
XPQ1R004PB：R_DS(ON)=0.8m（典型值）@V_GS=10V

主要规格

								（T_a=25°C，除非另有说明）
器件型号	极性	绝对最大额定值				漏极-源极导通电阻 R_DS(ON)最大值(mΩ)		沟道到外壳热阻 Z_th(ch-c) 最大值 @T_c=25°C (℃/W)	封装	系列	样品查询和库存
器件型号	极性	漏极-源极电压 V_DSS (V)	漏极电流 (DC) I_D (A)	漏极电流（脉冲） I_DP (A)	通道温度 T_ch (°C)	V_GS=6V	V_GS=10V		封装	系列	样品查询和库存
XPQR3004PB	N-沟道	40	400	1200	175	0.47	0.30	0.2	L-TOGL^TM	U-MOSIX-H	在线购买
XPQ1R004PB	N-沟道	40	200	600	175	1.8	1.0	0.65	L-TOGL^TM	U-MOSIX-H	在线购买

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XPQR3004PB
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车载MOSFET

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XPQ1R004PB
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球各地的2.3万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过8,500亿日元（75亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全人类创造更加美好的未来。
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