-高开路电压有助于驱动高压功率MOSFET
东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了采用薄型S06L封装的新款光伏输出光耦(“光伏耦合器”)——“TLP3910”,适用于驱动高压功率MOSFET的栅极,此类MOSFET用于实现隔离式固态继电器(SSR)[1]功能。即日起开始批量出货。
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SSR是以光电可控硅、光电晶体管或光电晶闸管为输出器件的半导体继电器。它适用于对大电流执行开/关控制的应用。
光伏耦合器是一种内置光学器件但不带用于执行开关功能的MOSFET的光继电器。在配置隔离式SSR设计时,通过将光伏耦合器与MOSFET结合使用,便可轻松实现光继电器难以支持的高压大电流开关。
在驱动栅压不低于10V的高压功率MOSFET时,需要串联两个东芝的现有产品TLP3906,因为其开路电压较低。 相比而言,新推出的TLP3910的最小开路电压为14V,是TLP3906的两倍,且只需一个就能驱动高压功率MOSFET的栅极。这有助于减少部件数量。
通过改进内置的放电电路,可实现0.1ms的典型关断时间,约为TLP3906的1/3左右,约为TLP191B的1/30,从而实现更快的工作速度。
TLP3910是东芝首款最低隔离电压达到5000Vrms[2]的光伏耦合器,同时保持了TLP191B和TLP3906两款现有产品的基本性能。这便于在采用AC400V电源系统驱动的工业设备中使用。此外,其最高工作温度达到125℃,进一步扩大了应用范围。
注:
[1] 在隔离式SSR中,一次侧和二次侧采用电气隔离。通过隔离栅,可以控制连接到AC线的电路以及不同地电位的设备之间的切换。
[2] 根据东芝调查(截至2021年5月27日),在各类光伏耦合器中。
应用
隔离式SSR:用于开关的高压功率MOSFET的栅极驱动。
特性
主要规格
(除非另有说明,Ta=25℃时) | |||
器件型号 |
|||
控制电路 |
内置 | ||
绝对
最大
额定值 |
工作温度Topr(°C) |
-40至125 | |
电气
特性 |
输入正向电压
VF最小值/典型值/最大值(V) |
IF=10mA时 |
3/3.3/3.6 |
耦合电气
特性 |
开路电压VOC最小值(V) |
IF=10mA时 |
14 |
短路电流
ISC最小值(μA) |
IF=10mA时 |
12 | |
(C20档位产品) | |||
触发LED电流IFT最大值(mA) |
3 | ||
开关
特性 |
导通时间ton典型值/最大值(ms) |
0.3/1.0 | |
关断时间toff典型值/最大值(ms) |
0.1/0.5 | ||
隔离
特性 |
隔离电压BVS最小值(Vrms) |
5000 | |
机械
参数 |
爬电距离/最小间距(mm) |
8.0 | |
封装 |
名称 |
SO6L | |
尺寸典型值(mm) |
3.84×10×2.1 | ||
安全标准 |
UL、cUL、
VDE(选件 (D4) ) | ||
样品查看与供货状态 |
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