东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社今日宣布推出 “TCK401G”（高电平有效^[1]）和 “TCK402G”（低电平有效^[2]）N沟道MOSFET驱动器，该产品支持最高可达28V的输入电压，因此适合于快速充电和需要大电流电源的其他应用。新MOSFET驱动IC的批量发货即日启动。

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新的TCK401G和TCK402G具备多种内置保护功能，包括过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能，但依然采用业界领先的WCSP6E小型封装，尺寸为0.8mm × 1.2mm × 0.55mm（典型值）^[3]。

可利用一个配有外部N沟道MOSFET的驱动器实现高效率电源电路，其中该MOSFET具备适合于目标应用的最大额定电压和导通电阻。例如，新型MOSFET驱动器和低导通电阻SSM6K513NU MOSFET相结合适合于移动和消费应用，因为其可在较小空间内构建100W级电源电路。

应用场合

• 移动设备
• 消费设备

特点

输入工作电压范围宽：V_{IN_opr} =2.7-28 V
WCSP6E小型封装：0.8×1.2 mm，t:0.55mm（典型值）
过压保护、浪涌电流抑制和自动输出放电功能

注：
[1] 当模式控制输入端子处于高态时，则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于低态时，则外部MOSFET断路。
[2] 当模式控制输入端子处于低态时，则外部MOSFET导通。当模式控制输入端子处于高态时，则外部MOSFET断路。
[3] 一种N沟道MOSFET驱动IC，截至2017年9月27日。东芝电子元件及储存装置株式会社调查。
[4] 自V_CT达到V_IH值一半之时起，V_GATE达到规定值所耗时间。

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关于东芝电子元件及储存装置株式会社

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