东芝电子元件及储存装置株式会社推出采用DPAK表面贴装型封装的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管

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— 第二代器件提供更高的正向浪涌电流峰值和品质因数,现支持表面贴装型封装

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社(TDSC)推出六款采用碳化硅(SiC)制造的肖特基势垒二极管(SBD),以此增强了公司的二极管产品阵容。这些新产品采用表面贴装型封装。批量发货即日启动。

这份智能新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:http://www.businesswire.com/news/home/20171016006343/en/ 

截至目前,东芝电子元件及储存装置株式会社一直专注于采用直插式封装的SiC SBD。东芝电子元件及储存装置株式会社新推出的第一款采用表面贴装型封装(又称DPAK)的SiC SBD满足了客户减小系统尺寸和厚度的需求。

新的SiC SBD集成了东芝的最新第二代芯片,该芯片在正向浪涌电流峰值(IFSM)和品质因数(VF•Qc*1)方面实现了改进。这些器件提供更强的耐用度和低损耗,有助于提高系统效率和简化散热设计。

东芝电子元件及储存装置株式会社将继续拓展其产品阵容,以帮助提高系统效率并减小通信设备、服务器、逆变器和其他产品的尺寸。

特点

  • 高正向浪涌电流峰值:约为额定电流的7-9.5倍,IF(DC)。
  • 低品质因数(VF•Qc):约比第一代产品低1/3,意味着高效率。
  • 表面贴装型封装:支持自动贴装,帮助减小系统尺寸和厚度。

应用场合

这些新SiC SBD适合一系列广泛的商业和工业应用,包括高效率电源中的PFC电路。

  • 消费品和办公产品:大屏幕4K LCD及OLED电视机、投影机、多功能复印机等的电源。
  • 工业设备:电信基站、电脑服务器、太阳能微型逆变器等的电源。
  • 电路:功率因数校正(PFC)电路、微型逆变器电路、切断器电路(数百瓦特或更高功率的各种电源)。
  • 开关设备续流二极管。

 

主要规格

封装

 

 

 

绝对最大额定值

 

电气特性

   

正向
直流电流

 

非重复性
峰值正向
浪涌电流

 

总耗散
功率

 

结
温

 

正向
电压

 

品质
因数

 

结
电容

 

总
电容
电荷

 

符号

 

IF(DC)

 

IFSM

 

Ptot

 

Tj

 

VF

 

VF•Qc

 

Cj

 

QC

 

单位

 

(A)

 

(A)

 

(W)

 

(℃)

 

(V)

 

(V•nC)

 

(pF)

 

(nC)

 

值

 

最大

 

最大

 

最大

 

最大

 

-

 

典型值

 

典型值

 

典型值

 

产品/条件

 

-

 

@半正
弦波
t=10ms

 

Tc=25℃

 

-

 

@ IF(DC)

 

-

 

@ VR=

1V

 

@VR=

400V

表面贴装型DPAK/

等效于TO-252

 

TRS2P65F

 

2

 

19

 

34.0

 

175

 

1.45

(典型值)


1.60

(最大值)

 

8.4

 

85

 

5.8

 

TRS3P65F

 

3

 

26

 

37.5

     

11.7

 

120

 

8.1

 

TRS4P65F

 

4

 

33

 

41.0

     

15.1

 

165

 

10.4

 

TRS6P65F

 

6

 

45

 

48.3

     

21.9

 

230

 

15.1

 

TRS8P65F

 

8

 

58

 

55.5

     

28.6

 

300

 

19.7

 

TRS10P65F

 

10

 

70

 

62.5

 

 

 

35.4

 

400

 

24.4

 


  本文链接:http://www.iruis.com/News/cninfo/45244.shtml