— 第二代器件提供更高的正向浪涌电流峰值和品质因数,现支持表面贴装型封装
东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社(TDSC)推出六款采用碳化硅(SiC)制造的肖特基势垒二极管(SBD),以此增强了公司的二极管产品阵容。这些新产品采用表面贴装型封装。批量发货即日启动。
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截至目前,东芝电子元件及储存装置株式会社一直专注于采用直插式封装的SiC SBD。东芝电子元件及储存装置株式会社新推出的第一款采用表面贴装型封装(又称DPAK)的SiC SBD满足了客户减小系统尺寸和厚度的需求。
新的SiC SBD集成了东芝的最新第二代芯片,该芯片在正向浪涌电流峰值(IFSM)和品质因数(VF•Qc*1)方面实现了改进。这些器件提供更强的耐用度和低损耗,有助于提高系统效率和简化散热设计。
东芝电子元件及储存装置株式会社将继续拓展其产品阵容,以帮助提高系统效率并减小通信设备、服务器、逆变器和其他产品的尺寸。
特点
应用场合
这些新SiC SBD适合一系列广泛的商业和工业应用,包括高效率电源中的PFC电路。
| ||||||||||||||||||
主要规格 | ||||||||||||||||||
封装 |
|
|
|
绝对最大额定值 |
|
电气特性 | ||||||||||||
正向 |
|
非重复性 |
|
总耗散 |
|
结 |
正向 |
|
品质 |
|
结 |
|
总 | |||||
符号 |
IF(DC) |
IFSM |
Ptot |
Tj |
VF |
VF•Qc |
Cj |
QC | ||||||||||
单位 |
(A) |
(A) |
(W) |
(℃) |
(V) |
(V•nC) |
(pF) |
(nC) | ||||||||||
值 |
最大 |
最大 |
最大 |
最大 |
- |
典型值 |
典型值 |
典型值 | ||||||||||
产品/条件 |
- |
@半正 |
Tc=25℃ |
- |
@ IF(DC) |
- |
@ VR= 1V |
@VR= 400V | ||||||||||
表面贴装型DPAK/ 等效于TO-252 |
TRS2P65F |
2 |
19 |
34.0 |
175 |
1.45 (典型值)
(最大值) |
8.4 |
85 |
5.8 | |||||||||
TRS3P65F |
3 |
26 |
37.5 |
11.7 |
120 |
8.1 | ||||||||||||
TRS4P65F |
4 |
33 |
41.0 |
15.1 |
165 |
10.4 | ||||||||||||
TRS6P65F |
6 |
45 |
48.3 |
21.9 |
230 |
15.1 | ||||||||||||
TRS8P65F |
8 |
58 |
55.5 |
28.6 |
300 |
19.7 | ||||||||||||
|
TRS10P65F |
|
10 |
|
70 |
|
62.5 |
|
|
|
35.4 |
|
400 |
|
24.4 | |||
|
本文链接:http://www.iruis.com/News/cninfo/45244.shtml
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