东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76%的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。

　　注释：

　　[1] 截至2014年11月4日。东芝调查

　　[2] Qoss：输出电荷

　　主要特性

　　*业界顶级的低导通电阻：0.85mΩ(最大值)

　　*业界顶级的低RDS(ON)Qoss：60mΩnC

　　应用

　　适用于服务器和电信基站的高效开关电源

　　主要规格

　　部件名称封装VDSS (V)RDS(ON)

　　最大值 (mΩ)

　　VGS=10V时Ciss

　　典型值

　　(pF)Qoss

　　典型值

　　(nC)

　　TPHR8504PL

　　SOP Advance

　　40

　　0.85

　　7370

　　85.4

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　　http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html

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　　关于东芝

　　东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域：能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件，以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝以“通过创造力和创新实现增长”为目标来推动全球业务，并致力于让全球各地的人们生活在一个安全、有保障和舒适的社会中。

　　东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业，全球拥有超过200,000名员工，年销售额逾6.5万亿日元(630亿美元)。

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