东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路，与东芝的传统产品相比，工作电压更低[1]，为VDD(opr) = 5至18V。出货即日起启动。

　　新产品主要规格

　　1.BiCD 0.13μm工艺

　　2.

　　供电电压：VDD(opr)=5至18V

　　3.

　　内置过流保护功能

　　4.

　　内置过流诊断功能

　　5.

　　输出电压

　　VOUT=VDD+8V(最低值)@VDD=5V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C

　　VOUT=VDD+10V(最低值)@VDD=8至18V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C

　　6.

　　小型封装

　　PS-8 (2.8mm x 2.9mm)

　　应用

　　适用于汽车应用，驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET，包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。

　　注释：

　　[1] 与“TPD7102F” (VDD=7至18V)相比

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　　http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html

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　　关于东芝

　　东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域：能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件，以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝以“通过创造力和创新实现增长”为目标来推动全球业务，并致力于让全球各地的人们生活在一个安全、有保障和舒适的社会中。

　　东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业，全球拥有超过200,000名员工，年销售额逾6.5万亿日元(630亿美元)。

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